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N-MOS Trench - CQ9电子

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产品详情

产品性能:耐压20-200V, 内阻0.6-260mΩ

优势特点:Trench工艺,具有内阻低,损耗小,IDM&EAS能力优越等特点。

应用领域:控制器/锂电保护(BMS)/快充/适配器/BLDC/消费电子


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